【摘 要】
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本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜．直流电导测量表明，室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级．经５７３Ｋ温度退火后，掺杂膜的电导接近，但仍要高于本征膜的电导率，说明仍有少量的
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本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜．直流电导测量表明，室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级．经５７３Ｋ温度退火后，掺杂膜的电导接近，但仍要高于本征膜的电导率，说明仍有少量的氢留在薄膜中．
This paper reports the preparation of hydrogen-doped C60 films by microwave plasma. DC conductivity measurements show that the conductivity of doped at room temperature is about five orders of magnitude larger than that of undoped film. After 573K temperature annealing, the conductance of the doped film is close, but still higher than that of the intrinsic film, indicating that a small amount of hydrogen remained in the film.
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