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运用ＸＰＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况。研究表明，低温直流磁控反应溅射ＩＴＯ薄膜退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中。Ｏ以两种以合状态ＯⅠ和ＯⅡ存在，其结合能值为５２９．９０±０．３０ｅＶ和５３１．４０±０．２０ｅＶ，分别对应着氧充足和氧缺乏状态。两者面积之比ＲＯｉ／ｏⅡ从薄膜表面到体内逐渐增大。退火后薄膜表面的ＲＯⅠ／ＯⅡ小于未退火薄膜表面的ＲＯⅠ／ＯⅡ从薄膜表面到