C轴倾斜AlN薄膜的制备研究

• 作 者: 杜鹏飞 熊娟 吴雯 谢红 顾豪爽
• 机 构: 湖北大学物理学与电子技术学院
• 出 处: 湖北大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2011年4期
• 关键词: C轴倾斜 ALN薄膜 两步气压法 C-axis inclined AlN film two-step pressure method

采用射频磁控反应溅射,利用两步气压法在Pt电极上制备C轴倾斜的A1N压电薄膜.用X射线衍射仪（XRD）分析两步气压下制备的A1N薄膜的择优取向,用扫描电镜（SEM）观察薄膜的截面形貌.实验结果表明在优化工艺参数条件下制备的AlN薄膜为C轴倾斜的柱状晶,且柱状晶与C轴的倾斜角度达到5°.并且初步探讨两步气压法制备C轴倾斜AlN薄膜的生长机理.