【摘 要】
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采用化学气相沉积法在经表面活性剂与硝酸镍的混合溶液处理过的硅衬底上成功制备出了直径均匀可控的二氧化锡(SnO2)纳米线。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、选区电子衍
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采用化学气相沉积法在经表面活性剂与硝酸镍的混合溶液处理过的硅衬底上成功制备出了直径均匀可控的二氧化锡(SnO2)纳米线。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、选区电子衍射、X射线衍射等手段对样品的表面形貌、微结构及成分等进行了表征分析。并在此基础上讨论了纳米线所遵循的生长机理。
The SnO2 nanowires with uniform diameter and diameter were successfully prepared by chemical vapor deposition on silicon substrates treated with a mixed solution of surfactant and nickel nitrate. The surface morphology, microstructure and composition of the samples were characterized by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, selected area electron diffraction and X-ray diffraction. On this basis, the growth mechanism followed by nanowires is discussed.
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