【摘 要】
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本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法:液相外延(LPE)、金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)和分子束外延(MBE),分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半
【机 构】
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长春光学精密机械学院高功率半导体激光国防科技重点实验室
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本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法:液相外延(LPE)、金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)和分子束外延(MBE),分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面所取得的一些进展,并比较了国内外的水平差距。
This article outlines three commonly used epitaxial methods for high power semiconductor laser material preparation and device fabrication: liquid phase epitaxy (LPE), metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and molecular beam epitaxy (MBE) Features and limitations. The progress we have made in the research of high power semiconductor lasers is introduced, and the level differences at home and abroad are compared.
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