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高性能的 CMOS集成电路即将取代非常复杂的 n-NOS随机存取存贮器
High-performance CMOS integrated circuits will soon replace the very complex n-NOS random access memory
C-H-MOS已进入动态RAM的制造领域
【摘 要】
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高性能的 CMOS集成电路即将取代非常复杂的 n-NOS随机存取存贮器
High-performance CMOS integrated circuits will soon replace the very complex n-NOS random access me
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1985年02期
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