Cd(Ⅱ)掺杂TiO_2多孔纳米晶膜电极的表征及其光电化学行为

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利用X射线粉末衍射法和原子力显微镜对镉掺杂的TiO2纳米晶膜电极作了表征,并用光电化学方法测定了该电极的光电化学行为.实验发现当镉的掺杂量低于15%时,镉与 TiO2形成固熔体,掺杂量高时出现 CdTiO3的独立相;随着镉含量的增加,纳米晶颗粒逐渐变大(粒径从 10 nm到 20 nm).镉含量的多少直接影响光电流的大小和符号,当Cd含量(相对于 Ti的质量分数)为 5%时光电流最大,外加电压为 0.3 V时光电流比纯TiO2多孔纳米晶膜电极高一倍以上;当Cd含量超过 30%时出现p-n转换现象。
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