TFT-LCD白点不良机理研究及改善

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TFT基板四道掩膜版工艺可提升产能,但其带来的产品品质困扰着各工厂,白点不良即为四道掩膜版工艺产生.本文通过直流实验探究了白点产生的原因;采用光照实验和高温实验,研究了白点产生的机理,同时利用工艺调整来改善白点不良.结果表明,有源层膜质存在异常,其导电性不同导致了反冲电压(ΔVp)的差异,最佳公共电压的不同形成白点不良.栅极和源极耦合电容越小,即硅边宽度越小,白点越少,直至消失.子像素存储电容越大,钝化层厚度(PVX)由600 nm减小到400 nm,白点不良程度可减轻1个等级.通过工艺调整,将硅边宽度降低到1.2 μm,可解决四道掩膜版工艺导致的白点问题.该研究对于产品品质和收益的提升以及后续产品开发提供了有效的解决方法及参考.
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