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本文研究了在柔性塑料衬底上的均匀的无定形Si 和SiNx 薄膜的裂化规律.结果表明,在单轴向拉力应变下,虽然衬底仍保持完整,但是半导体薄膜破裂为直的并行的阵列.当应变大于一个临界值后,裂纹的密度成线性增长.用原子力显微镜对裂纹的宽度和深度进行了表征和分析.
轴向应变导致柔性电路的裂化研究
【摘 要】
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本文研究了在柔性塑料衬底上的均匀的无定形Si 和SiNx 薄膜的裂化规律.结果表明,在单轴向拉力应变下,虽然衬底仍保持完整,但是半导体薄膜破裂为直的并行的阵列.当应变大于一
【机 构】
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中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室,Department of Physics,Department of Electrical Engineering
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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2004年期
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