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反向击穿电压较高的半导体器件，一般采用台面玻璃钝化工艺，但这种工艺存在弊端。玻璃的主要成分是二氧化硅，二氧化硅中存在的固定正电荷，会影响器件的反向击穿电压。SIPOS薄膜具有电中性和半绝缘性，弥补了二氧化硅的不足，不仅能提高器件的反向击穿电压，而且也极大提高了器件的可靠性。本文介绍了SIPOS薄膜工艺及其在玻璃钝化芯片中的应用。