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基于90 nm CMOS工艺的12 GHz二分频器
基于90 nm CMOS工艺的12 GHz二分频器
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shz0414
【摘 要】
:
采用90 nm CMOS工艺,实现了一个基于电流模式逻辑的12 GHz二分频器.该分频器具有很宽的锁定频率范围(1~12 GHz),在输入信号频率为8 GHz时,输入灵敏度达到-30 dBm.分频器工作在
【作 者】
:
周春元
李国林
喻学艺
李宇根
张春
王志华
【机 构】
:
清华大学
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
分频器
电流模式逻辑
锁相环
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采用90 nm CMOS工艺,实现了一个基于电流模式逻辑的12 GHz二分频器.该分频器具有很宽的锁定频率范围(1~12 GHz),在输入信号频率为8 GHz时,输入灵敏度达到-30 dBm.分频器工作在1.2 V电源电压下,消耗的电流大约为1.5 mA.给出了该设计的后仿真结果.
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