【摘 要】
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供压敏元件用的n型氢化微晶硅薄膜用射频辉光放电法己被制成,并对它进行了研究。用改变工艺参数的办法可得到电导率为2.SScm~(-1)～16Scm~(-1)的微晶硅薄膜。由X-射线衍射图和
【机 构】
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西北大学物理系,西北大学物理系,西北大学物理系,
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供压敏元件用的n型氢化微晶硅薄膜用射频辉光放电法己被制成,并对它进行了研究。用改变工艺参数的办法可得到电导率为2.SScm~(-1)～16Scm~(-1)的微晶硅薄膜。由X-射线衍射图和喇曼谱,测定晶粒尺寸和结晶体体积比分别为42～68A和60～70％。随着工艺条件的改变,在玻璃衬底上8000A厚的n型微晶硅膜的纵向效应灵敏系数(G因子)可达到-24.4～-30.5。
An n-type hydrogenated microcrystalline silicon thin film for a pressure-sensitive element has been made using a radio frequency glow discharge method and has been studied. By changing the process parameters can be obtained conductivity of 2.SScm ~ (-1) ~ 16Scm -1 microcrystalline silicon film. From X-ray diffraction and Raman spectra, the crystallite size and crystallite volume ratio were 42-68A and 60-70%, respectively. With the change of process conditions, the longitudinal effect sensitivity factor (G factor) of 8000A thick n-type microcrystalline silicon film on glass substrate can reach -24.4 ~ -30.5.
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