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直拉硅单晶（ＣＺＳｉ）中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）后，晶体内会产生大量辐照损伤缺陷。退火处理时，辐照缺陷的退火及其与硅单晶中氧、碳杂质的相互作用，使得辐照后的ＣＺＳｉ退火行为比较复杂，在７００～９００℃退火范围内电阻率值低于真实电阻率值，即出现了施主现象。本文通过对中子辐照ＣＺＳｉ的退火行为的研究，认为大于９００℃退火是中子辐照ＣＺＳｉ的比较合适的退火条件。