【摘 要】
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分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,
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分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提供200mA的最大负载电流,低频电源抑制比达到-65.6dB,启动时间只有16μs,在输出电容为10pF、负载电流以200mA/2μs突变时,最大下冲电压为120mV,上冲电压为160mV。
The limitations of the traditional LDO to improve system stability and transient response are analyzed. An on-chip integrated compensation technique is proposed. This technology eliminates the need for external capacitors and equivalent series resistance (ESR), which allows the system to be stable over the full load range with good ripple rejection. Simulation results show that the system has a quiescent current of 46μA at no-load, a maximum load current of 200mA, a low-frequency power supply rejection ratio of -65.6dB, a startup time of only 16μs, a 10pF output capacitance and a 200mA / 2μs load current mutation , The maximum undershoot voltage is 120mV, the impulse voltage is 160mV.
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