【摘 要】
:
针对全光网中信道路径不同所引起的功率失衡问题 ,设计了一种利用商用光纤波分复用器实现两段级联内插差异损耗环的功率箝制掺铒光纤放大器 (EDFA)光路结构 ,并从理论和实验
【机 构】
:
清华大学电子工程系!北京100084,清华大学电子工程系!北京100084,清华大学电子工程系!北京100084,清华大学电子工程系!北京100084,清华大学电子工程系!北京100084
论文部分内容阅读
针对全光网中信道路径不同所引起的功率失衡问题 ,设计了一种利用商用光纤波分复用器实现两段级联内插差异损耗环的功率箝制掺铒光纤放大器 (EDFA)光路结构 ,并从理论和实验上研究了光路结构参数对放大器动态范围和噪声特性的影响。得出损耗插入最佳位置在 6 0 %附近 ,最佳插入损耗大小 5~ 8dB依抽运功率和光纤长度而定。所研制的功率箝制EDFA在信号波长 15 5 3nm处 ,动态范围大于 2 0dB ,动态范围内平均输出功率超过2 90 μW。
Aiming at the problem of power unbalance caused by different channel paths in all optical networks, a power-clamp EDFA optical path structure is designed using commercial fiber wavelength division multiplexer to realize two stages of cascaded differential loss rings. The influence of the optical path structure parameters on the dynamic range and the noise characteristics of the amplifier is theoretically and experimentally studied. Get the best insertion loss in the vicinity of 60%, the best insertion loss of 5 ~ 8dB depending on the pumping power and fiber length may be. The developed power-mode EDFA has a dynamic range of more than 20 dB at a signal wavelength of 15 5 3 nm and an average output power in excess of 2 90 μW in the dynamic range.
其他文献
水文结合透射电镜分析研究了so1-gel方法制备的纯二氧化钛和掺铁二氧化钛干凝胶的晶化过程。计算了在不同的煅烧温度下二氧化钛微晶的晶胞参数,晶粒度,畸变等参数的变化关系。
在带抗共振环(Anti-resonant Ring,ARR)的非稳腔Nd:YAG激光器中,采用C,+:YAG作为被动调Q元件,获得单脉冲能量>85 mJ,脉宽40ns和能量起伏0.4%的高能量、高稳定调Q激光脉冲.同
用FT-IR光谱证实了PVC与PE-g-DBM(下称FPE,用固相接枝法自制的固相接枝物)之间存在着氢键和偶极-偶极的作用,其中以氢键作用为主。测定了PVC/CPE/PE和PVC/CPE/FPE合金的力学性能,
讨论了高动态、低信噪比、长伪码序列扩频信号的伪码捕获、跟踪、载波跟踪与数据解调方法。提出了一种基于高速数字信号处理技术和现场可编程逻辑器件 ( FPGA)的全数字高动态
以8-喹啉羧酸为原料,通过8-喹啉酰氯与手性氨基醇反应或8-喹啉羧酸乙酯与氨基醇的酯交换反应制得酰胺6a-c,再经Ni-Al合金催化还原、甲磺酸催化脱水关环,合成了新型手性氢化喹
用X射线光电子能谱(XPS)和小掠射角X射线衍射(GAXRD)研究了铝合金LY12等离子体基离子注入形成AIN/TiN改性层的成分分布及相结构.在此基础上测量了改性层的纳米硬度,并进行了摩
本实验发现Co2 + 与H2 O2 反应生成羟自由基的产率比Fenton试剂的高 10 0倍以上。采用水杨基荧光酮 (salicylfluorone ,SAF) Co H2 O2 荧光法测定羟自由基的新体系 ,激发
The effect of substrate on the phase morphologies of PMMA/PS blend films was investigated by means of phase contrast microscope. PMMA/PS blend films were cast o
采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2多晶,计算出晶格常数a=5.7535nm,c=10.3008nm,以及S原子位置x=0.279,与PDF值相差很小,表明其是高质量的多晶原料。以此为
将数值流形方法应用于P型自适应分析,推导单元不同阶次的位移函数及其单元刚度矩阵表达式,引入了对应情况下的节理单元及其刚度矩阵.编制了计算程序,数值算例表明该算法可行.