【摘 要】
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近年来,Si器件的设计和制造工艺取得巨大进步,使Si器件特性已经接近材料理想极限。SiC材料的禁带宽度大、热导率高、临界电场高,SiC器件的高压、高温和抗辐射能力都远高于Si
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近年来,Si器件的设计和制造工艺取得巨大进步,使Si器件特性已经接近材料理想极限。SiC材料的禁带宽度大、热导率高、临界电场高,SiC器件的高压、高温和抗辐射能力都远高于Si器件。本论文采用了Si器件的各种制成工艺技术,包括保护环、结终端扩展和台面结构,选用镍(Ni)与4H-SiC接触形成肖特基势垒,SiC肖特基二极管的基本结构与Si肖特基二极管相同,实验取得成功。
In recent years, great progress has been made in the design and manufacturing of Si devices, so that the Si device characteristics are close to the ideal limits of materials. SiC material with large forbidden band width, high thermal conductivity, high critical electric field, SiC devices high pressure, high temperature and radiation resistance are much higher than Si devices. In this dissertation, various fabrication techniques of Si devices are used, including guard ring, junction termination and mesa structure. The Schottky barrier is formed by the contact between nickel (Ni) and 4H-SiC. The basic structure of SiC Schottky diode The same as the Si Schottky diode, the experiment was successful.
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