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介绍了一种用于计算高掺杂我晶硅薄膜的纵向、横向和剪切应变系数的简单的理论模型。这些应变系数的计算是依据单晶硅的弹性电阻系数和刚度系数进行的。以解析形式给出（１００）、（１１）、和（１１１）薄膜的纵向和横向应变系数在－１９０℃至＋３００℃温度范围内以及７×１０＾１９至×１０＾２０ｃｍ＾－３浓度范围对硼掺杂多晶硅薄膜进行了研究，新提出的理论可供多晶硅传感器的设计者参考。