PECVD纳米晶粒硅薄膜的可见电致发光

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在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光.发光谱处在500—800nm之间,它有两个分别位于630—680nm和730nm附近的峰,两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系.根据这种材料的结构特性对载流子的传导通道进行了讨论,并且对发光机制进行了初步解释 Electroluminescence was observed in embedded nanocrystalline silicon films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition. The emission spectrum is between 500-800 nm. It has two peaks at 630-680 nm and 730 nm, respectively. The intensities of the two peaks are closely related to the conductivity of the film. According to the structural characteristics of this material carrier conduction channel was discussed, and the light-emitting mechanism was initially explained
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