【摘 要】
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据《科技开发动态》2004年第2期报导,该发明为沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺,属于微电子器件制造技术范围。该工艺和体硅及SOI工艺完全兼容,只需在常规CMOS工艺
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据《科技开发动态》2004年第2期报导,该发明为沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺,属于微电子器件制造技术范围。该工艺和体硅及SOI工艺完全兼容,只需在常规CMOS工艺基础上增加一块图形化注氧的掩膜版,通过在Si片上热生长或淀积注氧掩蔽层、用图形化注氧掩膜版光刻注氧
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