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<正> IGBT结构及工作原理 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BV为oss需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有Ros(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些
绝缘栅双极晶体管基础
【摘 要】
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<正> IGBT结构及工作原理 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BV为oss需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的
【机 构】
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ST公司
【出 处】
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世界电子元器件
【发表日期】
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2002年6期
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