【摘 要】
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矩形槽栅功率ＭＯＳ晶体管主研人员：李平夏建新李肇基陈星弼俞永康蒋保运王开琼严素珍龚有华闫斌根据国际功率ＭＯＳ发展新动向，对矩形槽栅功率器件（ＲＭＯＳ）进行了计算机二维模拟和工艺模拟，对矩形槽
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矩形槽栅功率ＭＯＳ晶体管主研人员：李平夏建新李肇基陈星弼俞永康蒋保运王开琼严素珍龚有华闫斌根据国际功率ＭＯＳ发展新动向，对矩形槽栅功率器件（ＲＭＯＳ）进行了计算机二维模拟和工艺模拟，对矩形槽成形机理和技术进行了分析与研究，在此基础上设计并研制成功ＲＭ...
Based on the new trend of international power MOS development, the rectangular slot gate power device (RMOS) was simulated by two-dimensional computer and technology simulation, the right Rectangular groove forming mechanism and technology analysis and research, on this basis, design and development of successful RM ...
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