Ti掺杂NbSe_2电子结构的第一性原理研究

• 作 者: 徐晶 梁家青 李红萍 李长生 刘孝娟 孟健
• 机 构: 江苏大学材料学院,中国科学院长春应用化学研究所
• 出 处: 物理学报
• 发表日期: 2015年20期
• 关键词: 二硒化铌 掺杂 电子结构 第一性原理 NbSe2 doping electronic structure first principles calcula
• 基金项目: 国家自然科学基金（批准号：51302112）, 江苏省高校自然科学项目（批准号：14KJB430009）, 江苏省研究生培养创新工程（批准号：CXZZ13_0669）资助的课题~~

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了理想2H-NbSe_2和Ti掺杂2H-NbSe_2晶体的几何结构及电子结构;对掺杂前后超胞的能带图、态密度及分波态密度图进行了分析.结果表明,掺杂后费米能级附近能量区域的电子态密度出现了较高的峰值,且费米能级位置发生了改变.理论上可以认为Ti的掺杂会使得NbSe_2的导电性增强,有利于开发新型的电接触复合材料.