【摘 要】
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采用射频等离子体辅助分子束外延法制备高品质ZnO单晶薄膜,利用离子注入技术向ZnO单晶薄膜中注入不同注量的Sb离子,并对样品进行了氧气氛退火处理.利用高分辨双晶X射线衍射技
【机 构】
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北京师范大学核科学与技术学院,北京师范大学射线束技术教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(111875088)
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采用射频等离子体辅助分子束外延法制备高品质ZnO单晶薄膜,利用离子注入技术向ZnO单晶薄膜中注入不同注量的Sb离子,并对样品进行了氧气氛退火处理.利用高分辨双晶X射线衍射技术、RBS背散射/沟道技术以及低温光致发光光谱测试对注入Sb离子后样品的结构和光学性能进行了表征,结果表明:低注量下注入离子对ZnO薄膜结晶品质影响不大,带边发光稍有减弱;当掺杂注量达到1015cm^-2时,离子注入产生了一定量的晶格损伤,同时带边发光被完全抑制.氧气氛下退火后ZnO薄膜发光恢复,带边发光峰主要为受主能级和锌空位发光,表
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