4千兆赫0.5瓦晶体管

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美帝休利特-派卡公司制成 HP11型4千兆赫、500毫瓦的晶体管。其管芯图形是星状的,代替了梳状结构。星状图形设计把电流分布在整个管芯内,防止出现过热点。HP11型晶体管是共基极和共发射极结构。在窄频带放大器和振荡器中,共基极结构在额定功率下产生最高增益。例如,在1千兆赫下输出1.25瓦,增益11分贝;在2千兆赫下 US Emperor Hewlett-Packard made HP11-type 4 GHz, 500-milliwatt transistor. The die pattern is star-shaped, instead of a comb-like structure. The star design distributes current throughout the die to prevent hot spots. The HP11 transistor is a common-base and a common-emitter structure. In narrow-band amplifiers and oscillators, the common-base structure produces the highest gain at rated power. For example, 1.25 watts are output at 1 gigahertz with a gain of 11 dB; at 2 GHz
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