电化学Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展

• 作 者: 石维 杨邦朝 张选红 方鸣 马建华 李玮 王兴伟
• 机 构: 电子科技大学,中国振华电子集团有限公司
• 出 处: 化工进展
• 发表日期: 2013年4期
• 关键词: 电化学方法 Ta2O5薄膜 钽电解电容器 漏电流 electrochemistry Ta2O5 thin films tantalum electrolyt
• 基金项目: 贵州省省长基金（20122311）, 贵州省重点实验项目[黔财教2011（232）]

介绍了阳极Ta2O5薄膜的电化学形成机理,并重点分析了电化学形成的Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展。描述了影响电化学Ta2O5薄膜生长的关键因素,包括氧含量、杂质缺陷和薄膜晶化等;分析了Ta2O5薄膜漏电流机理,如空间电荷限制电流（SCLC）、Fowler-Nordheim（F-N）导电机理、Pool-Frenkel（PF）发射、Schottky（S）发射等。最后展望了降低电化学Ta2O5薄膜材料的漏电流的理论及技术发展前景,Ta2O5薄膜后期的热处理、高分子增强塑性和复合薄膜技术等方面的新技术的应用将