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介绍了20 nm平面技术生产线前端缺陷减少的方法、结果及改善.介绍的缺陷检测优化与缺陷减少方法是针对高性能逻辑器件所用的300 mm晶圆上的高介电常数金属栅极(HKMG)层叠模块而实施的.
20nm高介电常数金属栅极缺陷减少技术
【摘 要】
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介绍了20 nm平面技术生产线前端缺陷减少的方法、结果及改善.介绍的缺陷检测优化与缺陷减少方法是针对高性能逻辑器件所用的300 mm晶圆上的高介电常数金属栅极(HKMG)层叠模块
【作 者】
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【机 构】
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STMicroelectronics Crolles2 SAS Crolles,法国KLA-Tencor公司,欧洲;
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2017年1期
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