基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作

来源 :半导体学报 | 被引量 : 28次 | 上传用户：yanmu1984

【摘要】

：

针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器敏感芯片,采用SIMOX技术的SOI晶片,在微加工平台上通过低压化学气相淀积法(LPCVD)均相外延硅测量层、浓硼离子注入、热氧化、光刻、电感耦合等离子体(ICP)深刻蚀、多层合金化等工艺流程制作了该芯片,将其封装后,研制出了高精度稳定性佳的耐高温压阻式压力传感器.封装工艺进一步改善后,该芯片工作温区有望拓宽到300~350℃.

【作者】

：

王权丁建宁王文襄熊斌

【机构】

：

江苏大学微纳米科学技术研究中心,昆山双桥传感器测试技术有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年08期

【关键词】

：

高温压力传感器 SIMOX 低压化学气相淀积电感耦合等离子体深刻蚀 high temperature pressure sensor SIMOX LPCVD

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