基于AlGaN／GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计

• 作 者: 姚小江 李宾 陈延湖 陈小娟 魏珂 李诚瞻 罗卫军 王晓亮
• 机 构: 中国科学院微电子研究所,四川龙瑞微电子有限公司,中国科学院半导体研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2007年4期
• 关键词: ALGAN/GAN HEMT 功率合成器 混合集成电路 微波功率放大器 AlGaN/GaN HEMTs power combining MIC power am
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划（批准号：2002CB311903）及中国科学院重点创新工程（批准号：KGCX2-SW-107）资助项目

研制了一种基于AlGaN／GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路．该电路包含4个10×120μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器．在偏置条件为VDS=40V，IDS=0．9A时，输出连续波饱和功率在5．4GHz达到41．4dBm，最大的PAE为32．54％，并且功率合成效率达到69％．