【摘 要】
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基于非平衡格林函数及密度泛函理论第一性原理计算方法,计算了Fe, Al, V和Cu四种阳离子掺杂对氧空位缺陷引起的PbTiO3铁电薄膜漏电流的调控.研究表明：Fe和Al离子掺杂将会增大
【机 构】
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铜仁学院物理与电子工程系,湘潭大学物理与光电工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:11747168,11604246);贵州省教育厅科研项目(批准号:KY[2015]384,KY[2015]446,KY[2017]053);贵州省科技厅联合基金项目(批准号:LH[2015]7228);铜仁学院博士启动课题项目(批准号:trxy DH1529)资助的课题~~
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基于非平衡格林函数及密度泛函理论第一性原理计算方法,计算了Fe, Al, V和Cu四种阳离子掺杂对氧空位缺陷引起的PbTiO3铁电薄膜漏电流的调控.研究表明：Fe和Al离子掺杂将会增大由其中氧空位缺陷导致的铁电薄膜的漏电流,而Cu和V离子掺杂对该漏电流的大小具有明显抑制作用.这是因为Cu和V掺杂对氧空位缺陷有明显的钉扎作用.相比于半径更大的Cu离子,由于V的离子半径更小,且更接近于PbTiO3铁电薄膜中Ti的离子半径,可以预言V离子更可能被掺杂进入薄膜,从而抑制氧空位缺陷引起的漏电流.研究结果对铁电薄膜器
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