低温自蔓延法合成SOC金属连接体用锰钴氧化物

• 作 者: 吴小芳 张文强 于波 郭绪强 徐景明
• 机 构: 中国石油大学(北京)化学工程学院,北京102200清华大学核能与新能源技术研究院,北京100084
• 出 处: 第五届中国储能与动力电池及其关键材料学术研讨与技术交流会
• 发表日期: 2013年10期
• 关键词: 锰钴氧化物 固体氧化物池 湿粉末喷涂 金属连接体 自蔓延法 电性能

采用柠檬酸低温自蔓延法合成尖晶石锰钴氧化物(MnCo2O4)粉体,利用湿粉末喷涂在Crofer 22金属连接体上制备致密涂层,考察工艺条件对涂层的影响,用XRD、SEM分析涂层的相结构及形貌,并对电性能进行分析.在900℃下烧结的连接体涂层具有更好的性能,其在850℃时测得的面积比电阻(ASR)为6.5 mΩ·cm2.