【摘 要】
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在ＭＯＳ结构的窄沟器件、倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准．本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的
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在ＭＯＳ结构的窄沟器件、倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准．本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的方法，同时也发现它的值不是常数，并给出了Ｃｇｂ０随Ｖｇｂ变化的经验公式．
In the MOS-structure narrow-channel device and inverse-ratio device, the extrinsic capacitance Cgb0 formed by the barrier layer under the bird’s beak has a great influence on the high-frequency characteristics of the integrated circuit. However, since it is connected in parallel with the intrinsic capacitance, And stray capacitance, not easy to measure. In this paper, we study the method of accurately measuring Cgb0, and also find that the value of Cgb0 is not constant, and the empirical formula of Cgb0 with Vgb is given.
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