Design and fabrication of nano-ring MRAM demo devices based on spin-polarized current driving

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【摘要】

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Nano-ring-type magnetic tunnel junctions(NR-MTJ)were nano-fabricated.The tunneling magnetoresistance(TMR)versus current(Ⅰ)loops of the NR-MTJs for a spin-polar

【出处】

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功能材料信息

【发表日期】

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2007年5期

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Nano-ring-type magnetic tunnel junctions(NR-MTJ)were nano-fabricated.The tunneling magnetoresistance(TMR)versus current(Ⅰ)loops of the NR-MTJs for a spin-polarized current switching were measured and the TMR ratio of around 20%～50% with a Al-O barrier at

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