低电压高效率非晶硅发射极异质结UHF功率晶体管

• 作 者: 王因生 盛文伟 张晓明 王晓雯
• 机 构: 南京电子器件研究所,南京电子器件研究所南京210018,南京210018,南京210018
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 1991年1期
• 关键词: 功率晶体管 非晶硅 异质结 UHF a-Si: H Heterojunction Microwave Bipolar Power Transistor

本文报道了利用重掺杂氢化非晶硅作宽禁带发射极材料的低电压硅异质结UHF功率晶体管的实验结果.制备的器件在9伏电压、工作频率470MHz下,输出连续波功率4W,功率增益8.2dB,集电极效率72％.在迄今有关非晶硅发射极HBT的报道中。这是首次详细报道可工作于UHF频率的低电压非晶硅发射极异质结功率晶体管.文中还讨论了这种异质结构的低压功率器件的设计和制备应考虑的一些问题,并提出一些解决办法.