【摘 要】
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采用再生长n＋GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率（f_T）的InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）,器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n＋G
【机 构】
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信息显示与可视化国际合作联合实验室电子科学与工程学院东南大学,专用集成电路国家级重点实验室,河北半导体研究所
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采用再生长n＋GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率（f_T）的InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）,器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n＋GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该值为目前金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻（R_（on））仅为0.41Ω·mm,
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