【摘 要】
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高纯度的单手性单壁碳纳米管对于下一代碳基电子器件的发展具有重要意义.利用聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-联吡啶] (PFO-BPy)、聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)(PFO)和聚(9,9-
【机 构】
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上海科技大学物质科学与技术学院,上海201210中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所先进材料研究部,江苏苏州215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所先进材料研究部,江苏苏州,215123
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高纯度的单手性单壁碳纳米管对于下一代碳基电子器件的发展具有重要意义.利用聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-联吡啶] (PFO-BPy)、聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)(PFO)和聚(9,9-二辛基芴-共苯并噻二唑)(PFO-BT)三种聚合物在有机相中分别分选出(6,5),(7,5)和(10,5)三种手性单壁碳纳米管,具有较高纯度以及浓度,并去除了超过99％的残留分散剂.使用上述溶液沉积获得高均匀性和高密度的碳纳米管薄膜,以此作为器件沟道材料,制备了手性单壁碳纳米管场效应晶体管阵列.结果 显示,大直径的(10,5)手性碳纳米管晶体管器件具有较好的电学性能,其迁移率最高达16 cm2·V-1·s-1,开关比达107.
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