【摘 要】
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采用分子束外延技术（MBE）对GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气（2DEG）样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式,在300 K条件下对制
【机 构】
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中国人民解放军军械工程学院导弹工程系,中国科学院半导体研究所超晶格实验室,中国科学院大学材料科学与光电技术学院,西北大学光子学与光子技术研究所
【基金项目】
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科技部“国家重大科学仪器设备开发专项”基金（2012YQ140005）
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采用分子束外延技术（MBE）对GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气（2DEG）样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式,在300 K条件下对制备的样品进行了霍尔测试,获得了室温迁移率7.205E3cm~2/Vs,载流子浓度为1.787E12/cm^3的GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气沟道结构,并采用Mathematica软件分别计算了不同沟道宽度时300 K、77 K温度下GaAs基HEMT结构的太赫兹探测响应率,为HEMT场效应管太赫兹探
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