应变硅的应变量表征技术

• 作 者: 段宝兴 杨银堂
• 机 构: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 2010年4期
• 关键词: CMOS 应变硅 RAMAN光谱 CMOS strain silicon Raman spectrum

本文针对CMOS电路关键技术的发展,首先分析了应变硅技术包含的四个领域,总结得出从客观和主观两个方面,应变技术已成为微电子发展的关键技术;侧重于应变硅中应变量的表征介绍了常用的方法：Raman光谱频移法、会聚束电子衍射法、四点应变量测法、ANSYS模拟分析法,为应变硅技术在CMOS技术中的应用提供科学参考。