【摘 要】
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对用ＰＥＣＶＤ方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究。在膜的纵向加直流偏压，暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象。在同一套测量系统中分别测量了纳米
【机 构】
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北京航空航天大学非晶态物理研究室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,西安交通大学电子工程系,大连理工大学物理系
【基金项目】
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国家基金,中科院半导体超晶格与微结构国家重点实验室申请课题
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对用ＰＥＣＶＤ方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究。在膜的纵向加直流偏压，暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象。在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱，并用Ｌａｍｂｄａ９紫外／可见／近红外分光光度计测量了样品的透射谱，从而得到样品的Ｔａｕｃ曲线和光能隙Ｅｇ＾ｏｐｔ。
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