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在分析热电子效应与辐射效应在ＭＯＳＦＥＴ产生界面态关系的基础上，给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对ＭＯＳ器件热电子退化效应进行研究的和采用该方法对１μｍ工艺Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行热电子退化效应的研究结果，并对热电子退化与偏置的关系进行了讨论，得到了确定热电子退化寿命的快速而简便的方法。
MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究
【摘 要】
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在分析热电子效应与辐射效应在ＭＯＳＦＥＴ产生界面态关系的基础上，给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对ＭＯＳ器件热电子退化效应进行研究的和采用该方法对１μｍ工艺Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行热电子退化效应的
【机 构】
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电子科技大学微电子科学与工程系
【出 处】
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电子科技大学学报
【发表日期】
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1997年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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