Nb2O5掺杂及TiO2压敏陶瓷埋烧工艺的研究

• 作 者: 朱道云 周方桥 丁志文 梁鸿东
• 机 构: 广州大学理学院
• 出 处: 华中科技大学学报：自然科学版
• 发表日期: 2004年2期
• 关键词: TiO2陶瓷 压敏电阻 电学性能 TiO2 ceramic varistor electrical proper ty
• 基金项目: 广州市教育局科技计划资助项目 (重点 0 1 2 )

通过微结构分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量，比较了埋烧和传统的裸烧工艺对于Nb^5+掺杂的TiO2压敏陶瓷材料的压敏电压和非线性系数的影响，结果表明掩埋法烧结可以降低该类陶瓷材料的压敏电压和非线性系数；考察了Nb2O5掺杂的作用，表明Nb^5+固溶于TiO2中取代Ti^4+使晶粒半导化．Nb2O5掺杂量对TiO2压敏陶瓷的I-V特性和微观结构都会有影响作用，适量Nb^5+的掺杂有助于晶粒的生长.