【摘 要】
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利用GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结构,加上条形结构可以获得在室温下连续工作的半导体激光二极管。我们利用通常的液相外延方法生长出GaAs-Ga_(1-x)-Al_XAs双异质结构材料。
【机 构】
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中国科学院物理研究所半导体激光组,中国科学院高能物理研究所一室应用组
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利用GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结构,加上条形结构可以获得在室温下连续工作的半导体激光二极管。我们利用通常的液相外延方法生长出GaAs-Ga_(1-x)-Al_XAs双异质结构材料。并用质子轰击法来形成条形结构。这样用银散热片做成的器件能在300°K下长时期地连续工作。
By using GaAs-Ga_ (1-x) Al_xAs double heterostructure and bar structure, the semiconductor laser diode can be continuously operated at room temperature. We use the usual liquid-phase epitaxy method to grow GaAs-Ga_ (1-x) -Al_XAs double heterostructure material. And proton bombardment method to form a strip structure. This device made of silver heat sink at 300 ° K for a long period of continuous work.
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