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采用扫描电镜（SEM）和电子背散射衍射（EBSD）技术，观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量。利用EBSD测量了GaAs—GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数。结果表明，晶片键合质量良好，键合界面中心区域的热应力小于边缘区域的热应力。GaN层和GaAs层中的应力影响范围，在中心区域分别约为100nm和300nm，在边缘区域分别约为100nm和500nm。EBSD显示的应力分布图与模拟应力场相似。模拟和计算表明，最大剥离应力和剪切应力分布在键