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由于亚微米器件的短沟道效应，引起器件的阈值电压下降。本文的研究表明，对器件的沟道采取多次杂注入掺杂技术，可有效地克服短沟道效应与热载流子效应，即使在沟道长度为０．５μｍ时，器件仍显示出良好的效果。
亚微米CMOS阈值电压控制研究
【摘 要】
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由于亚微米器件的短沟道效应，引起器件的阈值电压下降。本文的研究表明，对器件的沟道采取多次杂注入掺杂技术，可有效地克服短沟道效应与热载流子效应，即使在沟道长度为０．５μｍ时，器件仍
【机 构】
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航空航天部二院计算机应用和仿真技术研究所,陕西微电子学研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1994年2期
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