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本文研究了利用双硅源进行ELO生长SOI结构的工艺条件,b值变化对多晶成核及侧向生长速率的影响,观察了ELO膜的表面形貌与温度、压力的关系,探讨了ELO膜空洞产生的原因及消除方法,获得了二氧化硅条宽为20μm的光亮、平整、连续的ELO单晶薄膜。更多还原
双硅源选择外延及侧向过外延的生长特性
【摘 要】
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本文研究了利用双硅源进行ELO生长SOI结构的工艺条件,b值变化对多晶成核及侧向生长速率的影响,观察了ELO膜的表面形貌与温度、压力的关系,探讨了ELO膜空洞产生的原因及消除方
【机 构】
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吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系长春,长春
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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1992年1期
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