【摘 要】
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１．深亚微米集成电路 通常把０．８－０．３５ μｍ称为亚微米，０．２５ μｍ及其以下称为深亚微米，０．０５ μｍ及其以下称为纳米级。深亚微米制造的关键技术主要包括紫外光刻技术。等离子体刻蚀技术、离子注入技术、同
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１．深亚微米集成电路 通常把０．８－０．３５ μｍ称为亚微米，０．２５ μｍ及其以下称为深亚微米，０．０５ μｍ及其以下称为纳米级。深亚微米制造的关键技术主要包括紫外光刻技术。等离子体刻蚀技术、离子注入技术、同互连技术等。目前，国际上集成电路的主流生产工艺技
1. Deep submicron integrated circuits typically refer to 0.8-0.35 μm as sub-micron, 0.25 μm and below as deep submicron, and 0.05 μm and below as nano-scale. The key technologies of deep submicron fabrication include UV lithography. Plasma etching technology, ion implantation technology, the same interconnect technology. At present, the mainstream of the international integrated circuit production technology
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