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设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路，其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生，正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生．该基准电路采用TSMC0．18um工艺库仿真并投片验证，基准电压的绝对值偏差最大不超过1．75％．测试结果表明，该电路功耗仅为0．65uW，最低工作电压为0．829V，温度系数为±63×10^-6／℃，芯片有效面积为0．04mm2。该基准电路已成功应用于一款无源超高频射频识别芯片中，