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采用射频磁控溅射技术制备了铁电ＰＺＴ薄膜。研究了不同温度烧结的靶材与溅射薄膜成分的关系，深入探讨了薄膜的退火工怪薄膜晶体结构和铁性能的影响。认为当靶材原始配方相同时，则温（９００℃）烧结的靶材使得薄膜中有过剩的ＰｂＯ存在，有利于改善和提高薄膜的铁电性能；而高温（１２００℃）烧结的靶材，由于退火后薄膜中ＰｂＯ的含量小于化学计量仳，使得薄膜的铁电性能差。实验表明，薄膜的最佳退火条件为６００－６５０℃。