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对Si/Si1-xGex HBT的低频噪声进行了模拟.频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响.模拟结果表明,Si/SiGe HBT具有优异的低频噪声特性.
SiGe/Si HBT低频噪声特性研究
【摘 要】
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对Si/Si1-xGex HBT的低频噪声进行了模拟.频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响.模拟结果表明,Si/SiGe HBT
【机 构】
：
北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京工业大学电子信息与控制工程学院,模拟集成电路国家重点实验室,模拟集成电路国家重点实验室,模拟集成电路国家重点实验室,模拟集成
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2004年期
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