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微弧氧化是在铝合金表面原位制备陶瓷膜层的一项新技术。针对陶瓷膜层在形成过程中的两次相变，分析计算Al2O3液相中的形核过程以及γ-Al2O3向α-Al2O3转变过程Gibbs自由能的变化，分析相变驱动力与温度及过冷度的关系。研究结果表明：约在1200K左右过冷度时，可从液相Al2O3直接析出γ-Al2O3晶核，γ-Al2O3形核Gibbs自由能的变化符合T模型，α—Al2O3的形核行为可采用D-R模型计算，α-Al2O3和γ—Al2O3的均质形核率具有相同的数量级；微弧放电区域的热影响作用可造成γ-Al2