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用AlInGaN四元合金代替AlGaN作为PIN探测器的有源层，研制出AlInGaNPIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺，并对器件进行了光电性能测试。测试结果表明，器件的正向开启电压约为1．5V，反向击穿电压大于40V；室温-5V偏压下，暗电流为33pA，350nm处峰值响应度为0．163A／W，量子效率为58％。